📖 Исследование тонких пленок PbS по эллипсометрическим методом..

В книге собраны статьи последних лет о получение монокристаллов и тонких пленок полупроводниковых соединений PbS, исследование рентгноструктурных и оптических свойств по эллипсометрическим методам. Был определен оптимальный режим осаждения и механизм реакции получения тонкой пленки. Установлено новая кубическая фаза в нанопленке в отличие от крупнокристаллической кубической структуры. Измерены толщина и некоторые значение диэлектрических функции образцов PbS по эллипсометрическим методам, Для изучения оптических свойств тонкой пленки PbS на стеклянных подложках был использован инфракрасный спектрофотометр "Nikolet ?S -10" и определена спектр поглощения в области инфракрасного спектра тонкой пленки PbS существующий на фоне пиков функциональных групп. Из фонах этих пиков после идентификации поглощение относящий только для тонкой пленки PbS были построены зависимости . Для вычисления ширину запрещенной зоны полупроводника использовалась формула Тауца. В результате исследований определены толщина пленок и ?1 и ?2 – диэлектрические константы. Общая толщина тонких пленок было в порядке 112,1 нм (толщина пленки - 87,7 нм + шероховатость - 14, 4 нм). Методами физико-химического анализ