📖 Оптоэлектронные Процессы Тонких Пленок и Перспективы Применения..

В книге исследовано действие радиации на созданные элементы на основе a-SiC и нк-Si с площадью 1 см2, при освещении мощностью света АМ-1 к.п.д. составляет ?=6,05%; 9,45%; 11,5% для барьера Шоттки, p-i-n гетероперехода и двойного гетероперехода, соответственно. Они являются эффективными и стабильными характеристиками пленок, которые получены плазмохимическим осаждением. Наблюдаются фотоиндуцированные эффекты в a-Si:H и его сплавов, связанные с изменениями параметров материала. Наблюдались изменения диффузионной длины носителей, плотности неспаренных спинов, плотности состояний в щели и пропускания в инфракрасной области. Большие изменения проводимости могут быть вызваны изменением положения уровня Ферми. Было установлено, что в общем случае свет вызывает смещение Ef к середине щели: эффект наиболее ярко выражен при низких уровнях легирования, но исчезает при сильном легировании. Известно, что в пленках a-Si:H при световом воздействии наблюдается изменение проводимости. Таким образом, важно исследовать стабильность солнечных элементов на основе a-Si:H и его сплавов в различных условиях окружающей среды и особенно при экспозиции их под солнечными лучами.