📖 Устройство CdS/CdTe для рентгеновского контроля. Химическое осаждение из ванны, электроосаждение для подготовки тонкопленочных CdS/CdTe рентгеновских сенсоров.

Детекторы ионизирующего излучения в основном зависят от материалов, которые были изготовлены десятилетия назад, они были изготовлены монокристаллическими сцинтилляторами цезия и иодида натрия (CsI, NaI) или полупроводниками, такими как кремний (Si), германий высокой чистоты (HPGe), а также газонаполненными трубками. Однако существующие материалы имеют некоторые недостатки, NaI(Tl) имеет плохое разрешение, (Si) имеет низкую эффективность, в то время как (HPGe) требует системы охлаждения и все они являются дорогостоящими. В последние годы международные усилия были направлены на разработку ряда сложных полупроводниковых приборов с широким диапазоном и высоким атомным номером для детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Среди сложных полупроводниковых приборов теллурид кадмия (CdTe) является одним из наиболее перспективных материалов для радиационных детекторов с хорошим энергетическим разрешением, высокой эффективностью обнаружения и работой при комнатной температуре. В этой книге был изготовлен штабелированный рентгеновский детектор, в котором устройства Mo/CdTe/CdS/FTO объединяются и работают как один детектор.